語言
第三代半導體封裝
技術特點
● 開發SiC、GaN晶圓劃片技術；
● 軟焊料以及高導熱燒結納米銀漿的運用；
● DBC多芯片堆疊封裝技術；
● 高性能銅片、鋁帶焊接以及混合焊接的技術；
● SiC超薄芯片的封裝技術；
● 產品電壓能做到3300V,達到AECQ101的考核標準；
● 使用高可靠的綠色環保型塑封料。
應用領域
第三代半導體應用于手機充電器、5G基站、電動汽車、軍事領域等。
產品的封裝形式
| 封裝名稱 | 封裝外形 | 封裝名稱 | 封裝外形 |
|---|---|---|---|
| TO-220 |  |
TO-3P |  |
| TO-263 |  |
TO-247 |  |
| TO-220F |  |
TO-264 |  |
| 封裝名稱 | 封裝外形 |
|---|---|
| TO-220 | |
| TO-3P | |
| TO-263 | |
| TO-247 | |
| TO-220F | |
| TO-264 | |
