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產品與方案

提供包括封裝設計、封裝、測試、可靠性驗證等成套封測方案

MOSFET 第三代半導體 智能功率模塊 IGBT 應用方案

首頁 - 產品與方案 - 第三代半導體 - SiC SBD

SiC SBD

MOSFET
第三代半導體
智能功率模塊
IGBT
應用方案

HYB07120P2

HYB07120P2

此器件為1200V、7A、TO-220AB-2L封裝產品，適用于光伏、開關電源等領域。

HYB07120P2產品說明書

特性

符合RoHS標準

領先的封裝工藝

提升系統效率

優勢

低漏電流

低電容電荷

高可靠性

優異的導熱及散熱性能力

穩定的工藝能力

應用

開關模式電源、不間斷電源等

HYB07120P2

模型

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